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高频小信号调谐放大器

  由此可见,晶体管在高频情况下的分布参数除了与静态工作电流IE,电流放大系数β 有关外,还与工作频率ω 有关。晶体管手册中给出的分布参数一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在f0=30MHz,IE=2mA,UCE=8V 条件下测得3DG6C的y 参数为:

  表征高频小信号调谐放大器的主要性能指标有谐振频率f0,谐振电压放大倍数Av0,放大器的通频带BW 及选择性(通常用矩形系数Kr0.1 来表示)等。放大器各项性能指标及测量方法如下:

  上式说明,当晶体管选定即yfe 确定,且回路总电容CΣ为定值时,谐振电压放大倍数AV0 与通频带BW 的乘积为一常数。这与低频放大器中的增益带宽积为一常数

  上式表明,矩形系数Kv0.1 越小,谐振曲线的形状越接近矩形,选择性越好,反之亦然。一般单级调谐放大器的选择性较差(矩形系数Kv0.1 远大于1),为提高

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